Калькулятор таймингов памяти ddr3

Калькулятор таймингов памяти ddr3

Рассмотрим скоростные характеристики предполагаемых спецификаций модулей памяти DDR3, которые представлены в таблице 1.

Табл. 1. Скоростные характеристики модулей памяти DDR3

Тип модулей

Рейтинг

Частота шины, МГц

Типичная схема таймингов

Теоретическая пропускная способность, ГБ/с

Одно-канальный режим

Двух-канальный режим

Предположительно, модули памяти DDR3 будут предлагаться в вариантах от DDR3-800 до DDR3-1600 включительно, далее не исключено появление и более высокоскоростных модулей категории DDR3-1866. Рейтинг производительности модулей памяти DDR3 имеет значение вида «PC3-X», где X означает пропускную способность модуля в одноканальном режиме, выраженную в МБ/с (если быть точным — млн. байт/с). Поскольку модули памяти DDR3 имеют ту же разрядность, что и модули памяти DDR2 — 64 бита, численные значения рейтингов равночастотных модулей памяти DDR2 и DDR3 совпадают (например, PC2-6400 для DDR2-800 и PC3-6400 для DDR3-800).

Типичные схемы таймингов, предполагаемые в настоящее время для модулей памяти DDR3, выглядят весьма «внушительно» (например, 9-9-9 для DDR3-1600), однако не стоит забывать, что столь большие относительные значения таймингов, будучи переведенными в абсолютные значения (в наносекундах), учитывая все меньшее время цикла (обратно пропорциональное частоте шины памяти), становятся вполне приемлемыми. Так, например, задержка сигнала CAS# (t CL ) для модулей памяти DDR3-800 со схемой таймингов 6-6-6 составляет 15 нс, что, конечно, несколько великовато по сравнению с «типичными» DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5, для которых t CL составляет 12.5 нс. В то же время, память типа DDR3-1600 со схемой таймингов 9-9-9 уже характеризуются величиной задержки t CL всего 11.25 нс, что находится на уровне DDR2-533 с достаточно низкими задержками (схемой таймингов 3-3-3). Таким образом, даже при предполагаемом на данный момент «раскладе» схем таймингов модулей памяти DDR3 можно ожидать постепенное снижение реально наблюдаемых задержек при доступе в память, вплоть до значений, типичных для нынешнего поколения модулей памяти DDR2. К тому же, не стоит забывать и о дальнейшем снижении задержек (и снижении таймингов) по мере развития технологии.

Для того чтобы начать изучение вопросов, посвящённых таймингам, следует узнать, как же, собственно, работает оперативная память. Структура памяти напоминает таблицу, где сначала выбирают строку, а затем столбец; и что таблица эта разбита на банки, для памяти плотностью меньше 64Мбит (SDRAM) количеством 2 штуки, выше – 4 (стандартно). Спецификация память DDR2 SDRAM с чипами плотностью 1Гбит предусматривает уже 8 банков.

Также стоит упомянуть, что на открытие строки в используемом банке уходит больше времени, нежели в другом (т.к. используемую строку нужно сначала закрыть). Очевидно, что лучше новую строку открывать в новом банке (на этом основан принцип чередования строк).

Обычно на памяти (или в спецификации к ней) есть надпись вида 3-4-4-8 или 5-5-5-15. Это сокращённая запись (так называемая схема таймингов) основных таймингов памяти. Что же такое тайминги? Очевидно, что ни одно устройство не может работать с бесконечной скоростью. Значит, на выполнение любой операции уходит какое-либо время. Тайминги это задержка, устанавливающая время, необходимое на выполнение какой-либо команды, то есть время от отправки команды до её выполнения. А каждая цифра обозначает, какое именно время необходимо.

Теперь разберём каждый по очереди. Схема таймингов включает в себя задержки CL-Trcd-Trp-Tras соответственно.

Для работы с памятью необходимо для начала выбрать чип, с которым мы будем работать. Делается это командой CS# (Chip Select). Затем выбирается банк и строка. Перед началом работы с любой строкой необходимо её активировать. Делается это командой выбора строки RAS# (при выборе строки она активируется). Затем (при операции линейного чтения) нужно выбрать столбец командой CAS# (эта же команда инициирует чтение). Затем считать данные и закрыть строку, совершив предварительный заряд (precharge) банка.
Тайминги расположены по порядку следования в простейшем запросе (для простоты понимания). Сначала идут тайминги, затем подтайминги.

Читайте также:  Teddy bear mod pack for mope io

CL, Cas Latency – минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

Trcd, RAS to CAS delay – время, необходимое для активизации строки банка, или минимальное время между подачей сигнала на выбор строки (RAS#) и сигнала на выбор столбца (CAS#).

Trp, Row Precharge – время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка.

Tras, Active to Precharge – минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (её открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени.

CR, Command Rate 1/2T – Время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. Иначе, минимальное время между подачей двух команд. При значении 1T команда распознаётся 1 такт, при 2T – 2 такта, 3T – 3 такта (пока только на RD600).

Это всё основные тайминги. Остальные тайминги имеют меньшее влияние на производительность, а потому их называют подтаймингами.

Украинский энтузиаст Юрий «1usmus» Бублий подготовил новую версию утилиты Ryzen DRAM Calculator, предназначенной, как нетрудно понять из названия, для расчёта задержек памяти на системах с процессорами AMD Ryzen. Ключевым нововведением релиза 1.5.0 стал встроенный тест ОЗУ с лаконичным названием MEMbench.

«С помощью него вы можете протестировать вашу систему на ошибки или же получить результат ваших оптимизаций подсистемы памяти. Суть его работы – это скорость выполнения определенной нелинейной задачи. Аналогия SuperPi и других бенчмарков. Чем меньше время – тем лучше», — пишет автор программы.

Полный список изменений в Ryzen DRAM Calculator v1.5.0 приведён ниже.

  • Добавлена функция сравнения текущих таймингов системы с рекомендованными. Включается выключается с помощью кнопки «Compare timings».
  • Добавлена возможность выбора топологии материнской платы. Лист-бокс с названием «Topology». Смысл этой затеи – более точное предсказание настроек procODT/RTT. Безусловно функция не идеальная и с каждым обновлением калькулятора точность предсказаний будет увеличиваться.
  • Частично почищена вкладка «Main» от информации которая не используется и загромождает пользовательский интерфейс. Эта небольшое продвижение в сторону простоты использования данного приложения.
  • Блоки с предсказанием напряжений SOC перетерпели существенных изменений для каждого поколения процессоров Ryzen.
  • В блоке CAD_BUS временно добавлена еще одна рекомендация.
  • Переработка большинства пресетов для каждого типа памяти. Причина проста – новые UEFI вносят новые коррективы.
  • Блок «Misc items» получил новые алгоритмы предсказаний. В частности, предсказание GDM.
  • Улучшена поддержка конфигураций систем, состоящих из 4 DIMM.
  • Улучшен алгоритм расчета профилей «Debug».
  • Исправления внезапных «вылетов» программы при расчетах.
  • Исправлена проблема, когда во время импорта html профиля автоматически переключался тип памяти в режим Samsung b-die.
  • Добавлена кнопка-ссылка на руководство по настройки системы с помощью Ryzen DRAM Calculator. Находится эта кнопка во вкладке «Help».
  • Обновлена информация во вкладке «About» и добавлена обратная связь со мной через Twitter.

Ключевые особенности MEMbench:

  • Поддержка процессоров с количеством потоков от 4 до 64.
  • Погрешность в пределах 0,5%.
  • Автоматическое определение числа потоков в системе.
  • Единый рейтинг для настольный и HEDT процессоров (AMD и Intel).
  • Качественно реализованная мультипоточность.
  • Благодаря ядру HCI 6 (freeware) данный продукт получился бесплатным для конечного пользователя. Также хочу отметить что данная версия не модифицирована.
  • Полное отсутствие влияния частоты процессора на результат бенчмарка.
  • На результат влияет каждый тайминг.
  • Возможность работы в режиме обыкновенной проверки памяти с фиксированной отложенной остановкой на определенном этапе, и этот этап определяете Вы.
  • Три пресета для бенчинга: «Easy mode», «Default mode» и «Custom mode».
  • «Easy mode» разработан специально для систем с маленьким объёмом оперативной памяти.
  • Простота в использовании бенчмарка, вам нужно выбрать только MEMbench mode и нажать «Run».
  • Предоставление полноценной системной информации для процессоров Ryzen (для Intel блок с определением таймингов еще не подключен).
  • Возможность сохранения двух собственных результатов для дальнейшего сравнения.
  • Вывод информации в диаграмму.
  • Окно-таблица с информацией о текущем состоянии бенчинга или проверки памяти.
  • Кнопка «Screenshot».
  • Все возможные защиты от ситуаций нехватки памяти в системе.
  • Не использует файл подкачки.
  • Лояльный стресс тест CPU в режиме «Default mode».
Читайте также:  Ошибка 9 invalid parameter id 75 штрих

Оперативная память является важным компонентом компьютера или ноутбука, который частично определяет его быстродействие и возможности. Немногие знают о том, что производительность устройств можно существенно повысить, не прибегая к замене основных элементов. Делается это путем «разгона» установленных микросхем, в том числе и ОЗУ. Процесс разгона отличается от повышения мощности процессора или видеопамяти. Мы расскажем вам, как сделать это правильно, не допуская ошибок.

Специфика процесса

Многие IT-специалисты указывают на то, что производители зачастую устанавливают ограничение на возможность искусственного увеличения производительности. Кроме этого, повышение скорости работы ОЗУ зачастую проводится после разгона установленного процессора. Отдельно обе важные составляющие компьютера разгоняются крайне редко, так как их работа отвечает за основные функции. Что касается видеокарты, то ее подвергают разгону и отдельно — все зависит от того, для обработки каких данных проводится увеличение производительности.

Одной из основных характеристик ОЗУ считают объем, который принято измерять в гигабайтах. Однако на производительность оказывает влияние частота работы, пропускная способность и другие характеристики, которые редко указываются в кратком описании компьютера. Под «разгоном» понимают включение особых режимов работы за счет:

  1. Увеличения показателя тактовой частоты. Как правило, этот параметр изменяется при разгоне процесса, что позволяет использовать его всю вычислительную мощность.
  2. Изменения количества таймингов, которые возникают при одном цикле. При уменьшении этого показателя обмен электрическими сигналами будет проходить гораздо чаще, за счет чего повышается пропускная способность установленных планок.

Некоторые IT-специалисты выделяют метод повышения производительности, который связан с изменением показателей электрического напряжения в установленной микросхеме.

Оптимальные методы разгона

При изготовлении микросхемы рассматриваемого типа могут использоваться самые разные архитектуры, в большинстве случаев можно только максимально повысить тактовую частоту или пропускную способность — обе сразу не получится. Некоторые выбирают компромиссное сочетание устанавливаемых настроек.

Среди основных рекомендаций выделим следующие моменты:

  1. При повышении тактовой частоты придется замедлить тайминг, в противном случае компьютер не будет работать стабильно и есть вероятность потери информации.
  2. При ускорении тайминга показатель тактовой частоты рекомендуют оставить на заводском уровне.

Кроме этого, после проведения работы по разгону компьютера можно заметить, что он начинает работать медленнее. Это связано с тем, что не каждый процессор и ОЗУ предназначены для разгона. В некоторых случаях с заводскими настройками они работают куда лучше и стабильнее.

Что следует знать о частоте ОЗУ

Разгон оперативной памяти ddr3 или другого типа многие проводят для увеличения тактовой частоты. Ее показатель определяет, сколько операционных тактов производит установленная микросхема в секунду. С увеличением данного значения микросхема начинает работать быстрее, время между действием пользователя и откликом устройства снижается.

Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:

Показатель эффективной, как правило, в два раза больше реальной. Показатель реальной тактовой частоты редко можно встретить в описании оперативной памяти, для ее определения приходится искать подробную спецификацию или использовать программу мониторинга производительности компьютера.

Рабочее напряжение

Все части компьютера работают исключительно под своим напряжением, для некоторых оно может быть переменчивым. Этот момент следует учитывать при рассмотрении процесса разгона. Ранее распространенный тип памяти DDR 2 работает при 1,8 вольта.

На сегодняшний день распространенная память типа DDR 3 при 1,5 вольта. Специалисты утверждают, что эти пороги можно несущественно превысить. Для DDR 2 выставляется значение 2,2 вольта, для DDR 3 показатель составляет 1,65 вольта.

Читайте также:  Как убрать стрелки в ворде скрывающие текст

При превышении этих значение микросхема начнет работать неправильно, могут появиться существенные сбои. Кроме этого, IT-специалисты утверждают, что даже самая качественная микросхема от известного производителя может плохо воспринять повышение напряжения. Поэтому если в этом нет особой надобности, то лучше всего оставлять заводские настройки.

Использование тестов

Точного способа разогнать оперативную память ddr3 нет. Это связано с тем, что существует огромное количество планок ОЗУ, каждая может отреагировать по-разному на изменение заводских параметров. Именно поэтому выходом из ситуации становится подбор наиболее подходящих настроек при тестировании каждого изменения. Для этого можно использовать специальные программы, которые существенно упрощают поставленные задачи.

При выборе программ для тестирования работы компьютера рекомендуется уделить внимание следующим:

Выделить лучшую программу с двух вышеприведенных сложно, так как каждая имеет свои достоинства и недостатки. Почему именно эти две программы при огромном выборе? Ответ довольно прост — они не только делают мониторинг основных показателей при нагрузке или простое устройства, но и имеют функцию отслеживания стабильности работы многих моделей ОЗУ. Подобным образом снижают вероятность того, что проведенные изменения приведут к потере стабильности работы оперативной памяти.

Инструменты изменения показателей

Выставить необходимые значения можно при использовании самых различных инструментов. Выделяют два основных метода:

  1. Использование интерфейса БИОСа.
  2. Установка и использование сторонней программы.

Многие специалисты в рассматриваемом вопросе рекомендуют воспользоваться первым методом, так как стороннее ПО может работать некорректно, быть несовместимым с конкретными типами ОЗУ. Кроме этого при использовании БИОСа разгон осуществляется на низком уровне взаимодействии с аппаратными компонентами, за счет чего можно достигнуть лучших результатов.

Среди ключевых нюансов отмечают следующие моменты:

  1. К изменению показателя частоты работы устройства следует относиться с осторожностью, так как правильная корректировка заключается не только во введении одной цифры. Частота зависит от произведения двух основных значений: FSB и BCLK. Получаемое значение принято считать «опорной частотой». Если будет проводиться изменение только множителя, то увеличить производительность будет невозможно.
  2. Принято уделять внимание особенностям процессора при разгоне модулей ОЗУ, так как этот элемент более важен в системе. Часто наблюдается ситуация, что одинаковые значения тайминга и тактовой частоты при различных процессорах дают разный результат. При этом точные рекомендации сложно найти, производители и вовсе не рекомендуют проводить изменение устанавливаемых настроек.
  3. Результат проведения работы по разгону зачастую непредсказуемый, но увеличить шансы на успех можно при изучении специализированных форумов, где можно найти пример похожего сочетания процессора и планок памяти.

Процессоры Intel и AMD

Тесты, которые проводятся при разгоне оперативной памяти, указывают на то, что процессоры Intel, построенные на современной архитектуре, плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если провести его изменение, то велика вероятность возникновения серьезных сбоев.

Эта информация определяет то, что изменить «опорную частоту» будет довольно сложно. Поэтому единственный выход из сложившей ситуации — изменение показателя множителя, что обычно приводит к незначительному повышению мощности.

Некоторые из процессоров рассматриваемого производителя хорошо реагируют на подобные эксперименты. Примером назовем Core i7−8. При их производстве используется архитектура Lynnfield.

На результаты проводимых экспериментов может оказать влияние и тип материнской памяти. Данный элемент компьютера также имеет чипсет, который отвечает за обработку некоторой информации.

Процессоры, выпускаемые под брендом AMD, постепенно уходят с рынка. При этом они ведут себя более предсказуемо при увеличении производительности оперативной памяти, что позволяет снизить вероятность возникновения ошибок.

В заключение отметим, что повышение производительности всегда приводит к выделению большего количества тепла. Поэтому при недостаточном охлаждении системного блока следует провести установку более мощной системы отвода тепла, так как велика вероятность перегрева.

Видео

Из этого видео вы узнаете, как правильно настроить и разогнать оперативную память вашего ПК.

Ссылка на основную публикацию
Какой пароль придумать для apple id пример
Восстановление пароля от Apple ID Apple ID – учетная запись, используемая при авторизации на сервисах Apple. Учитывая повышенное внимание корпорации...
Как уменьшить вкладки в яндекс браузере
Автор: Юрий Белоусов · 04.05.2018 В Яндекс браузере на табло можно добавить всего 20 визуальных закладок, которые помогают пользователям быстро...
Как уменьшить логотип в фотошопе
Трансформация фотографий обязательная процедура работы дизайнера и ретушера, но в погоне за качеством финального результата мы часто забываем о мелочах,...
Какой формат игр на ps3
В данной статье я расскажу, какими основными способами можно записывать образы ваших лицензионных игр на PS3 Внимание! Автор данной статьи...
Adblock detector